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J-GLOBAL ID：200902118988283633   Reference number：96A0520886

Emission from discrete levels in self-formed InGaAs/GaAs quantum dots by electric carrier injection: Influence of phonon bottleneck.

自己形成InGaAs/GaAs量子ドット中の電気的キャリア注入による不連続な準位からの発光 フォノンボトルネックの影響

Author (4)： MUKAI K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  OHTSUKA N (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SHOJI H (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SUGAWARA M (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 68  Issue： 21  Page： 3013-3015  Publication year： May. 20, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： self organization system ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (5)： 自己形成 ,  InGaAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  キャリア注入