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J-GLOBAL ID：200902120641223201   Reference number：00A0185688

Hafnium and zirconium silicates for advanced gate dielectrics.

進歩したゲート誘電体材料用のハフニウム及びジルコニウムのけい酸塩

Author (3)： WILK G D (Texas Instruments, Texas) ,  WALLACE R M (Texas Instruments, Texas) ,  ANTHONY J M (Texas Instruments, Texas)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 87  Issue： 1  Page： 484-492  Publication year： Jan. 01, 2000 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicate ,...

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JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (5)： ゲート ,  誘電体材料 ,  ハフニウム ,  ジルコニウム ,  けい酸塩