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J-GLOBAL ID：200902121767717788   Reference number：00A0535739

Titanium oxide films on Si(100) deposited by electron-beam evaporation at 250°C.

電子ビーム蒸着によりSi(100)上に250°Cで堆積させた酸化チタン膜

Author (9)： JANG H K (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  WHANGBO S W (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM H B (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  IM K Y (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Y S (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LYO I W (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM G (Myongji Univ., Yongin, KOR) ,  LEE H-S (Pohang Univ. Sci. Technol., Pohang, KOR) ,  LEE J M (Pohang Univ. Sci. Technol., Pohang, KOR)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 18  Issue： 3  Page： 917-921  Publication year： May. 2000 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *titanium oxide ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Crystal structure of metal oxides and chalcogenides  (BK07020Y)

Terms in the title (4)： 電子ビーム蒸着 ,  Si ,  堆積 ,  酸化チタン膜