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J-GLOBAL ID：200902122367894644   Reference number：96A0408925

Electrical properties of SrBi₂Ta₂O₉ thin films and their temperature dependence for ferroelectric nonvolatile memory applications.

SrBi₂Ta₂O₉薄膜の電気的特性と強誘電不揮発性メモリ応用のためのその温度依存性

Author (7)： TAYLOR D J (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  JONES R E (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  ZURCHER P (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  CHU P (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  LII Y T (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  JIANG B (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  GILLESPIE S J (Materials Res. and Strategic Technol., Texas)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 68  Issue： 16  Page： 2300-2302  Publication year： Apr. 15, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： strontium compound ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Terms in the title (5)： 薄膜 ,  電気的特性 ,  不揮発性メモリ ,  応用 ,  温度依存性