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J-GLOBAL ID：200902122763144313   Reference number：98A0944351

Bulk Nitride-Semiconductors. Growth of AlN Single Crystal by the Sublimation Method.

バルク窒化物半導体 昇華法による窒化アルミニウム単結晶育成

Author (1)： TANAKA MOTOYUKI (住友電気工業 伊丹研)
Material： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
Volume： 25  Issue： 4  Page： 163-166  Publication year： 1998 
JST Material Number： F0452B  ISSN： 0385-6275  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *sublimation ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (31)：

• 1) AMANO H. Jpn. J. Appl. Phys.. (1989) vol.28, p.L2112.
• 2) NAKAMURA S. J. Appl. Phys.. (1992) vol.71, p.5543.
• 3) NAKAMURA S. Jpn. J. Appl. Phys.. (1992) vol.31, p.139.
• 4) NAKAMURA S. J. Appl. Phys.. (1993) vol.74, p.3911.
• 5) NAKAMURA S. Jpn. J. Appl. Phys.. (1996) vol.35, p.L74-L76.

Terms in the title (5)： バルク ,  窒化物半導体 ,  昇華 ,  窒化アルミニウム ,  単結晶育成