Art

J-GLOBAL ID：200902122863999804   Reference number：01A0652849

P-type ZnO Layer Formation by Excimer Laser Doping.

エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成

Author (5)： SHIMIZU YOSHIMI (静岡大 電子工研) ,  MIYAKE AKI (静岡大 電子工研) ,  AOKI TOORU (静岡大 電子工研) ,  NAKANISHI YOICHIRO (静岡大 電子工研) ,  HATANAKA YOSHINORI (静岡大 電子工研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 101  Issue： 82(SDM2001 14-29)  Page： 19-24  Publication year： May. 24, 2001 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： excimer laser ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0652849&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (1)： ZnO