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J-GLOBAL ID：200902123135734442   Reference number：95A0588110

Electron traps in β-SiC grown by chemical vapor deposition on silicon (100) substrates.

シリコン(100)基板上に化学蒸着により成長させたβ-SiC中の電子トラップ

Author (3)： ZEKENTES K (Inst. Electronic Structure and Lasers, Crete, GRC) ,  KAYIAMBAKI M (Inst. Electronic Structure and Lasers, Crete, GRC) ,  CONSTANTINIDIS G (Inst. Electronic Structure and Lasers, Crete, GRC)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 66  Issue： 22  Page： 3015-3017  Publication year： May. 29, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (5)： シリコン ,  化学蒸着 ,  成長 ,  SiC ,  電子トラップ