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J-GLOBAL ID：200902124407830833   Reference number：98A0017335

Characterization of defect density of Si epilayer grown on ultrasmooth sapphire substrates.

超平坦サファイア基板上のエピタキシャルSi膜の欠陥密度評価

Author (9)： YANAGIYA SHUN'ICHI (豊橋技科大) ,  JUNG Y C (豊橋技科大) ,  FUJII MASANORI (豊橋技科大) ,  MIURA HIROYUKI (豊橋技科大) ,  ISHIDA MAKOTO (豊橋技科大) ,  YOSHIMOTO MAMORU (東京工大) ,  ONISHI TSUYOSHI (東京工大) ,  YOSHIDA KENJI (東京工大) ,  KOINUMA HIDEOMI (東京工大)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 58th  Issue： 1  Page： 370  Publication year： Oct. 1997 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (6)： 平坦 ,  サファイア基板 ,  エピタキシャル ,  Si膜 ,  欠陥密度 ,  評価