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J-GLOBAL ID：200902126139563552   Reference number：97A0747490

Epitaxial Growth of InN by Microwave-excited Remorte Plasma.

プラズマプロセス マイクロ波励起リモートプラズマによる窒化インジウムエピタキシャル成長

Author (6)： SHIMADA KOJI (豊橋技科大) ,  TSUCHIYA TOORU (豊橋技科大) ,  ONISHI MASATO (豊橋技科大) ,  SAIKI HISAO (三陽電機製作所) ,  MIKI OSAMU (豊橋技科大) ,  YOSHIDA AKIRA (豊橋技科大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 97  Issue： 68(SDM97 13-18)  Page： 9-14  Publication year： May. 23, 1997 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： indium nitride ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (5)：

• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, L797
• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, L1332
• NAKAMURA, S. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 4056
• WAKAHARA, A. Appl. Phys. Lett. 1989, 54, 709
• 三木. 電子情報通信学会技術研究報告書. 1996, ED96-35

Terms in the title (6)： プラズマプロセス ,  マイクロ波 ,  励起 ,  リモートプラズマ ,  窒化インジウム ,  エピタキシャル成長