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J-GLOBAL ID：200902126143796928   Reference number：98A0189231

Graded In_xGa_1-xAs/GaAs 1.3μm wavelength light emitting diode structures grown with molecular beam epitaxy.

分子ビームエピタクシーにより成長させた傾斜組成In_xGa_1-xAs/GaAsの1.3μm波長発光ダイオード構造

Author (6)： BULSARA M T (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts) ,  YANG V (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts) ,  THILDERKVIST A (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts) ,  FITZGERALD E A (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts) ,  HAUESLER K (Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU) ,  EBERL K (Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 83  Issue： 1  Page： 592-599  Publication year： Jan. 01, 1998 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  傾斜組成 ,  GaAs ,  M波 ,  発光ダイオード