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J-GLOBAL ID：200902126199874328   Reference number：99A0244765

Structure of a hydrogen-carbon complex and local motion of hydrogen in silicon.

シリコン中の水素-炭素複合欠陥の構造と水素の局所運動

Author (3)： KAMIURA YOICHI (岡山大 工) ,  FUKUDA KAZUHISA (岡山大 工) ,  YAMASHITA YOSHIFUMI (岡山大 工)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 68  Issue： 2  Page： 161-165  Publication year： Feb. 1999 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *complex defect ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (24)：

• 吉田博. 日本物理学会誌. 1989, 44, 657
• PANKOVE, J. I. Hydrogen in Semiconductors, Semiconductors and Semimetals. 1991, 34
• STUTZMANN, M. Proc.6th Trieste Semiconductor Symposium on Hydrogen in Semiconductors. 1991
• STUTZMANN, M. Physica. 1991, B170
• PEARTON, S. J. Hydrogen in Crystalline Semiconductors. 1992

Terms in the title (5)： シリコン ,  水素 ,  炭素 ,  複合欠陥 ,  運動