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J-GLOBAL ID：200902091185373166   Reference number：89A0477288

Mechanism of hydrogen passivation in p-type crystalline silicon.

p型シリコン結晶の水素による不動態化のからくり

Author (2)： YOSHIDA HIROSHI (東北大 理) ,  SASAKI TAIZO (金材技研)
Material： 日本物理学会誌
Volume： 44  Issue： 9  Page： 657-663  Publication year： Sep. 1989 
JST Material Number： F0221A  ISSN： 0029-0181  CODEN： NBGSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： P-type semiconductor ,...

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JST classification (2)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Crystal binding  (BK05020K)

Reference (32)：

• 1) W. Kohn: Solid State Physics, Vol. 5, ed. F. Seitz and D. Turnbull (Academic Press, New York, 1957) p. 257.
• 2) J.I. Pankove, D.E. Carlson, J.E. Berkeyheiser and R.O. Wance: Phys. Rev. Lett. 51 (1983) 2224.
• 3) C.T. Sah, J.Y.-C. Sun and J.J:-T. Tzou: Appl. Phys. Lett. 43 (1983) 204.
• 4) M.L. Thewalt, E.C. Lightowlers and J.I. Pankove: Appl. Phys. Lett. 46 (1985) 421.
• 5) N.M. Johnson: Phys. Rev. B 31 (1985) 5525.

Terms in the title (5)： P型シリコン ,  結晶 ,  水素 ,  不動態化 ,  からくり