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J-GLOBAL ID：200902127059671148   Reference number：98A0386066

Morphology and characterization of GaN single crystals grown in a Na flux.

Naフラックス中で成長させたGaN単結晶の形態と特性評価

Author (4)： YAMANE H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMADA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SEKIGUCHI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  DISALVO F J (Cornell Univ., New York, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 186  Issue： 1/2  Page： 8-12  Publication year： Mar. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (7)： Na ,  フラックス ,  成長 ,  GaN ,  単結晶 ,  形態 ,  特性評価