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J-GLOBAL ID：200902127554218840   Reference number：95A0236669

Growth of InN films on GaAs(111) and GaP(111) substrates by microwave-excited metalorganic vapor phase epitaxy.

マイクロ波励起有機金属気相エピタクシーによるGaAs(111),GaP(111)基板上のInN膜の成長

Author (4)： GUO Q (Saga Univ., Saga, JPN) ,  OGAWA H (Saga Univ., Saga, JPN) ,  YAMANO H (Toyohashi Univ. Technology, Toyohashi, JPN) ,  YOSHIDA A (Toyohashi Univ. Technology, Toyohashi, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 66  Issue： 6  Page： 715-717  Publication year： Feb. 06, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...
Semi thesaurus term： RHEED振動

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： マイクロ波 ,  励起 ,  有機金属気相エピタクシー ,  GaAs ,  GAP ,  InN ,  成長