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J-GLOBAL ID：200902128095025704   Reference number：95A0635204

Bulk single-crystal growth of wide-band-gap semiconductor silicon carbide.

ワイドギャップ半導体シリコンカーバイドのバルク単結晶成長

Author (5)： KANAYA MASATOSHI (新日本製鉄 エレクトロニクス研) ,  OTANI NOBORU (新日本製鉄 エレクトロニクス研) ,  TAKAHASHI JUN (新日本製鉄 エレクトロニクス研) ,  NISHIKAWA TAKESHI (新日本製鉄 エレクトロニクス研) ,  KATSUNO MASAKAZU (新日本製鉄 エレクトロニクス研)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 64  Issue： 7  Page： 642-652  Publication year： Jul. 1995 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： マイクロパイプ欠陥

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (86)：

• ERSKINE, J. C. Transactions on the 2nd International High Temperature Electronics Conf. 1994, I-9
• TAJIMA, M. Transactions on the 2nd International High Temperature Electronics Conf. 1994, I-29
• Silicon Carbide 1973, Proceedings of the 3rd International Conf. on Silicon Carbide, Miami, Florida. 1974
• DAVIS, R. F. Int. J. of Materials and Product Technology. 1989, 4, 81
• 上野勝典. 第6回SiC研究会予稿集. 1991, III-2

Terms in the title (4)： ワイドギャップ半導体 ,  シリコンカーバイド ,  バルク ,  単結晶成長