Art

J-GLOBAL ID：200902129316537221   Reference number：97A0419304

Device quality hydrogenated amorphous silicon films deposited at high growth rates.

高成長速度で析出された装置品質の水素化アモルファスけい素薄膜

Author (3)： DAS D (Indian Assoc. Cultivation of Sci., Calcutta, IND) ,  SHARMA S N (Indian Assoc. Cultivation of Sci., Calcutta, IND) ,  BANERJEE R (Indian Assoc. Cultivation of Sci., Calcutta, IND)
Material： Journal of Non-Crystalline Solids  (J Non-Cryst Solid)
Volume： 211  Issue： 3  Page： 229-236  Publication year： Apr. 1997 
JST Material Number： D0642A  ISSN： 0022-3093  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： hydride ,...
Semi thesaurus term： amorphous

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 成長速度 ,  析出 ,  水素化アモルファスけい素 ,  薄膜