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J-GLOBAL ID：200902129728899330   Reference number：95A0757036

Optical absorption study of ion beam synthesized polycrystalline semiconducting FeSi₂.

イオンビーム合成の多結晶半導体FeSi₂の光吸収研究

Author (5)： YANG Z (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  HOMEWOOD K P (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  FINNEY M S (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  HARRY M A (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  REESON K J (Univ. Surrey, Surrey, GBR)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 78  Issue： 3  Page： 1958-1963  Publication year： Aug. 01, 1995 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor thin film ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (2)： Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： イオンビーム ,  結晶半導体 ,  光吸収 ,  研究