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J-GLOBAL ID：200902130426330671   Reference number：99A0503043

溝型構造上への再成長によるGaNの貫通欠陥密度の低減

Author (7)： ISHIDA MASAHIRO (松下電子工業) ,  ORITA KENJI (松下電子工業) ,  NAKAMURA MASASHI (松下電子工業) ,  IMAFUJI OSAMU (松下電子工業) ,  YURI MASAAKI (松下電子工業) ,  SUGINO TAKASHI (大阪大 工) ,  ITO KUNIO (松下電子工業)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 46th  Issue： 1  Page： 416  Publication year： Mar. 28, 1999 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： 溝型 ,  再成長 ,  GaN ,  欠陥密度