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J-GLOBAL ID：200902132447672028   Reference number：97A0881259

(BAlGa)N quaternary system and epitaxial growth on(0001)6H-SiC substrate by low-pressure MO-VPE.

低圧MO-VPEによる(0001)6H-SiC基質での(BAIGa)N第四系およびエピタキシャル成長

Author (4)： KAWANISHI H (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HARUYAMA M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIRAI T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SUEMATSU Y (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 2994  Page： 52-59  Publication year： 1997 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： 低圧 ,  Mo ,  6H-SiC ,  基質 ,  第四系 ,  エピタキシャル成長