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J-GLOBAL ID：200902133693084581   Reference number：96A0576099

Electrical properties of a Schottky barrier formed on a homoepitaxially grown diamond (001) film.

ホモエピタキシアルに成長したダイヤモンド(001)膜に生成したShottky障壁の電気的特性

Author (5)： KIYOTA H (Kyushu Tokai Univ., Kumamoto, JPN) ,  OKUSHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ANDO T (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  KAMO M (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  SATO Y (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 5  Issue： 6/8  Page： 718-722  Publication year： May. 1996 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Terms in the title (6)： ホモ ,  エピタキシアル ,  成長 ,  ダイヤモンド ,  障壁 ,  電気的特性