Art

J-GLOBAL ID：200902134398405160   Reference number：01A1010184

Reduction of doping and trap concentrations in 4H-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition.

CVD法で成長した4H-SiCエピタキシャル層におけるドーピングとトラップ濃度の減少

Author (4)： KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAZAWA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HASHIMOTO K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 79  Issue： 17  Page： 2761-2763  Publication year： Oct. 22, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A1010184&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： CVD法 ,  成長 ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  ドーピング ,  トラップ