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J-GLOBAL ID：200902135064909970   Reference number：94A0331974

2000V 6H-SiC p-n junction diodes grown by chemical vapor deposition.

化学気相成長法により作製した2000V 6H-SiC pn接合ダイオード

Author (5)： NEUDECK P G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  SALUPO C S (Calspan Corp., Ohio) ,  LARKIN D J (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  POWELL J A (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  MATUS L G (NASA Lewis Research Center, Ohio)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 64  Issue： 11  Page： 1386-1388  Publication year： Mar. 14, 1994 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： 大気圧CVD ,...

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JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 化学気相成長法 ,  作製 ,  6H-SiC ,  pn接合 ,  ダイオード