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J-GLOBAL ID：200902136227571870   Reference number：99A0017775

A Low Forward Drop High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier with Linearly Graded Doping Profile.

直線的に傾斜したドーピングプロファイルの順方向電圧降下の低い高電圧溝MOS障壁Schottky整流器

Author (2)： MAHALINGAM S (North Carolina State Univ., NC) ,  BALIGA B J (North Carolina State Univ., NC)
Material： Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998  (Proc 10th Int Symp Power Semicond Devices ICs 1998)
Page： 187-190  Publication year： 1998 
JST Material Number： K19980600  ISBN： 0-7803-4752-8  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Schottky barrier diode ,...
Semi thesaurus term： 漏洩 ,...

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JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Thyristors  (NC03060C)

Terms in the title (8)： 直線 ,  ドーピングプロファイル ,  順 ,  電圧降下 ,  高電圧 ,  MOS ,  障壁 ,  整流器