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J-GLOBAL ID：200902136907582915   Reference number：97A0565992

Growth of GaN and Al_0.2Ga_0.8N on Patterened Substrates via Organometallic Vapor Phase Epitaxy.

有機金属気相エピタクシーによるパターンのある基板上のGaNとAl_0.2Ga_0.8Nの成長

Author (5)： NAM O-H (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  BREMSER M D (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  WARD B L (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  NEMANICH R J (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  DAVIS R F (North Carolina State Univ., NC, USA)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 36  Issue： 5A  Page： L532-L535  Publication year： May. 01, 1997 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOCVD ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (11)：

• 1) J. L. Shaw, H. F. Gray, K. L. Jensen and J. M. Jung: J. Vac. Sci. & Technol. B <b> 14</b> (1996) 2072
• 2) R. J. Nemanich, M. C. Benjamin, S. P. Bozeman, M. B. Bremser, S. W. King, B. L. Ward, R. F. Davis, B. Chen, Z. Zhang and J. Bernholc: Gallium Nitride and Related Materials, 1996 (MRS, Pittsburgh, 1996) p. 777.
• 3) M. C. Benjamin, C. Wang, R. F. Davis and R. J. Nemanich: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 3288
• 4) Y. Kato, S. Kitamura, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 144 (1994) 133.
• 5) S. Kitamura, K. Hiramatsu and N. Sawaki: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 1184

Terms in the title (3)： 有機金属気相エピタクシー ,  GaN ,  成長