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J-GLOBAL ID：200902137256588649   Reference number：99A0866124

High spatial resolution thermal conductivity of lateral epitaxial overgrown GaN/sapphire (0001) using a scanning thermal microscope.

走査型熱顕微鏡を用いた横方向エピタキシャル被覆成長GaN/サファイア(0001)の高空間分解能熱伝導率の測定

Author (5)： ASNIN V M (City Univ. New York, New York) ,  POLLAK F H (City Univ. New York, New York) ,  RAMER J (EMCORE Corp., New Jersey) ,  SCHURMAN M (EMCORE Corp., New Jersey) ,  FERGUSON I (EMCORE Corp., New Jersey)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 75  Issue： 9  Page： 1240-1242  Publication year： Aug. 30, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...

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JST classification (2)： Specific heat and thermal conduction in general  (BL05021E) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 走査型熱顕微鏡 ,  横方向 ,  エピタキシャル ,  被覆成長 ,  GaN ,  サファイア ,  高空間分解能 ,  熱伝導率