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J-GLOBAL ID：200902137458316004   Reference number：02A0036180

RESURF AlGaN/GaN HEMT for High Voltage Power Switching.

高電圧パワースイッチング用途のRESURF AlGaN/GaN HEMT

Author (4)： KARMALKAR S (Indian Inst. Technol., Madras, IND) ,  DENG J (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  SHUR M S (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  GASKA R (Sensor Electronic Technol.,Inc., NY, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 22  Issue： 8  Page： 373-375  Publication year： Aug. 2001 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： 高電圧 ,  パワー ,  スイッチング ,  用途 ,  RESURF ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT