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J-GLOBAL ID：200902137864933812   Reference number：00A0059397

Insulating GaN:Zn layers grown by hydride vapor phase epitaxy on SiC substrates.

水素化物気相エピタクシーによってSiC基板上に成長させた絶縁性GaN:Zn層

Author (5)： KUZNETSOV N I (A.F. Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  NIKOLAEV A E (A.F. Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  ZUBRILOV A S (A.F. Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  MELNIK YU V (TDI, Inc., Maryland) ,  DMITRIEV V A (TDI, Inc., Maryland)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 75  Issue： 20  Page： 3138-3140  Publication year： Nov. 15, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *vapor phase growth ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 水素化物気相エピタクシー ,  SiC基板 ,  成長 ,  絶縁性 ,  GaN ,  Zn