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J-GLOBAL ID：200902138188598580   Reference number：93A0658179

Si ion implantation into GaAs through As doped a-Si:H films.

As添加a-Si:H膜を通してのGaAsへのSiイオンの注入

Author (7)： SAKAGUCHI MASANORI (関西大 工) ,  TAMURA SUSUMU (関西大 工) ,  YOKOTA KATSUHIRO (関西大 工) ,  CHAYAHARA AKIYOSHI (大阪工技試) ,  FUJII KANENAGA (大阪工技試) ,  TAKANO HIROMICHI (KTF) ,  KUMAGAI MASAO (KTF)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 40th  Issue： Pt 3  Page： 1291  Publication year： Mar. 1993 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： Si ,  GaAs ,  Siイオン ,  注入