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J-GLOBAL ID：200902138555733309   Reference number：96A0053156

Electrical properties of Schottky barrier formed on as-grown and oxidized surface of homoepitaxially grown diamond (001) film.

ホモエピタキシャル成長ダイヤモンド(111)膜の成長表面と酸化表面に形成させたSchottky障壁の電気的性質

Author (8)： KIYOTA H (Kyushu Tokai Univ., Kumamoto, JPN) ,  MATSUSHIMA E (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SATO K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ANDO T (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  KAMO M (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  SATO Y (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  IIDA M (Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 67  Issue： 24  Page： 3596-3598  Publication year： Dec. 11, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (7)： ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  ダイヤモンド ,  成長 ,  酸化 ,  Schottky障壁 ,  電気的性質