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J-GLOBAL ID：200902138569016197   Reference number：00A0114782

Possibility of Strain Control in AlN Layer Grown by MOVPE on (0001) 6H-SiC with GaN/AlN Buffer.

GaN/AlNバッファが付いた(0001)6H-SiC上にMOVPEにより成長させたAlN層における歪制御の可能性

Author (8)： KURIMOTO M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  NAKADA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  ISHIHARA Y (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIBATA M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKANO T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO J (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWANISHI H (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
Material： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Phys Status Solidi A)
Volume： 176  Issue： 1  Page： 665-669  Publication year： Nov. 16, 1999 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 0031-8965  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： GaN ,  AlN ,  バッファ ,  6H-SiC ,  MOVPE ,  成長 ,  歪制御 ,  可能性