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J-GLOBAL ID：200902139152503750   Reference number：00A0544423

Improvement in Antimony-Doped Ultrashallow Junction Sheet Resistance by Dopant Pileup Reduction at the SiO₂/Si Interface.

SiO₂/Si界面のドーパント蓄積低減によるアンチモンドープ極浅接合シート抵抗の改良

Author (4)： SHIBAHARA K (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  EGUSA K (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  KAMESAKI K (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  FURUMOTO H (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 4B  Page： 2194-2197  Publication year： Apr. 30, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (9)：

• 1) A. Hori, H. Nakaoka, H. Umimoto, K. Yamashita, M. Takase, N. Shimizu, B. Mizuno and S. Odanaka: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. (1994) p. 485.
• 2) G. Timp, et al.: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. (1997) p. 930.
• 3) F. A. Trumbore: Bell System Tech. J. (1960) 205.
• 4) K. Shibahara, M. Mifuji, K. Kawabata, T. Kugimiya, H. Furumoto, M. Tsuno, S. Yokoyama, M. Nagata, S. Miyazaki and M. Hirose: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. (1996) p. 579.
• 5) K. Shibahara, H. Furumoto, K. Egusa, M. Koh and S. Yokoyama: Mater. Res. Soc. Proc. 532 (1998) 23.

Terms in the title (9)： SiO2 ,  Si ,  界面 ,  ドーパント ,  蓄積 ,  アンチモン ,  ドープ ,  極浅接合 ,  シート抵抗