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J-GLOBAL ID：200902139172763332   Reference number：00A0582071

Epitaxy in Lattice-Mismatched Systems. Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using SiGeC Buffer Layer.

格子不整合系におけるエピタキシー SiGeC界面緩衝層を用いた3C-SiC/Siヘテロエピタキシー

Author (2)： FUYUKI TAKASHI (奈良先端科学技術大学院大) ,  HATAYAMA TOMOAKI (奈良先端科学技術大学院大)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 21  Issue： 6  Page： 348-354  Publication year： Jun. 10, 2000 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon compound ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (20)：

• 1) W. Choyke, H. Matsunami and G. Pensl: “Silicon Carbide” (John Wiley & Sons, New York, 1997).
• 2) H. Matsunami, S. Nishino and H. Ono: IEEE Trans. Electron Devices ED-28, 1235 (1981).
• 3) H. Nagasawa and K. Yagi: Phys. Sta. Solidi (b) 202, 335 (1997).
• 4) K. Shibahara, T. Takeuchi, S. Nishino and H. Matsunami: Jpn. J. Appl. Phys. 28, 1341 (1989).
• 5) T. Yoshinobu, H. Mitsui, Y. Tarui, T. Fuyuki and H. Matsunami: J. Appl. Phys. 72, 2006 (1992).

Terms in the title (7)： 格子不整合 ,  エピタキシー ,  界面 ,  緩衝層 ,  3C-SiC ,  Si ,  ヘテロエピタキシー