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J-GLOBAL ID：200902139290138108   Reference number：02A0659930

Hot-Carrier Induced Degradation of Transconductance and Threshold Voltage in Low-Temperature Poly-Si TFTs. Comparison of LDD and SD (Single-Drain) Poly-Si TETs.

低温poly-Si TFTのホットキャリヤ効果による相互コンダクタンス,及びしきい値電圧の劣化 LDD構造,及びSD(シングルドレーン)構造TFTの比較

Author (5)： TANGO HIROYUKI (東京工芸大 工) ,  IMAI YOSHIHIRO (東京工芸大 工) ,  SATO TOSHIFUMI (東京工芸大 工) ,  KUSAKABE YOKO (東京工芸大 工) ,  YAMBE IKUE (東京工芸大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
Volume： J85-C  Issue： 8  Page： 684-691  Publication year： Aug. 01, 2002 
JST Material Number： S0623C  ISSN： 1345-2827  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film transistor ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (29)：

• WU, I. -W. Mechanism of device degradation in n-and p-channel polysilicon TFT's by electrical stressing. IEEE Electron Device Lett. 1990, 11, 4, 167-170
• HACK, M. Physical models for degradation effects in polysilicon thin-film transistors. IEEE Trans. Electron Devices. 1993, 40, 5, 890-897
• FORTUNATO, G. Hot carrier effects in n-channel polycrystalline silicon thin-film transistors: A correlation between off-current and transconductance variations. IEEE Trans. Electron Devices. 1994, 41, 3, 340-346
• FARMAKIS, F. V. Hot-carrier phenomena in high temperature processed undoped-hydrogenated n-channel polysilicon thin film transistors(TFTs). Solid-State Electron. 1999, 43, 1259-1266
• PICHON, L. Effects of the in-situ drain doping on hot-carrier degradation in polysilicon thin film transistors. Solid-State Electron. 1996, 39, 1065-1069

Terms in the title (8)： 低温 ,  Si ,  TFT ,  ホットキャリヤ ,  相互コンダクタンス ,  しきい値電圧 ,  LDD構造 ,  ドレーン