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J-GLOBAL ID：200902140563355717   Reference number：99A0999407

Ultraviolet InGaN and GaN Single-Quantum-Well-Structure Light-Emitting Diodes Grown on Epitaxially Laterally Overgrown GaN Substrates.

横方向に被覆成長したエピタキシャルGaN基板上に成長させたInGaNおよびGaNの単一量子井戸構造の紫外発光ダイオード

Author (2)： MUKAI T (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN) ,  NAKAMURA S (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 38  Issue： 10  Page： 5735-5739  Publication year： Oct. 15, 1999 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： 横方向被覆成長 ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (24)：

• 1) For a review, see S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer-Verlag, Heidelberg, 1997) 1st ed.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332.
• 3) T. Mukai, D. Morita and S. Nakamura: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 778.
• 4) T. Mukai, H. Narimatsu and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L479.
• 5) T. Mukai, M. Yamada and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1358.

Terms in the title (8)： 横方向 ,  被覆成長 ,  エピタキシャル ,  GaN ,  成長 ,  InGaN ,  単一量子井戸 ,  紫外発光ダイオード