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J-GLOBAL ID：200902141246834959   Reference number：02A0761483

半導体エレクトロニクス 赤外光弾性法を用いた半導体ウェハ・デバイス中のひずみ分布測定

Author (3)： FUKUZAWA MASAYUKI (京都工繊大 工芸) ,  CHU T (京都工繊大 工芸) ,  YAMADA MASAYOSHI (京都工繊大 工芸)
Material： 材料  (Journal of the Society of Materials Science, Japan)
Volume： 51  Issue： 9  Page： 966-970  Publication year： Sep. 15, 2002 
JST Material Number： F0385A  ISSN： 0514-5163  CODEN： ZARYA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,...
Semi thesaurus term： 赤外光弾性法

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JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (11)：

• NYGREN, S. F. J. Cryst. Growth. 1973, 19, 21
• DENICOLA, R. O. J. Appl. Phys. 1971, 42, 4262
• YAMADA, M. Rev. Sci. Instrum. 1993, 64, 1815
• YAMADA, M. 9th Conf. Semiconducting and Insulating Materials. 1996, 177
• YAMADA, M. Proc. of 9th Int. Conf. on Inp and Related Materials. 1997, 209

Terms in the title (5)： エレクトロニクス ,  赤外 ,  光弾性法 ,  ウェハ ,  ひずみ分布