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J-GLOBAL ID：200902141458732960   Reference number：00A1061589

Two-step growth of high-quality GaN by hydride vapor-phase epitaxy.

水素化物気相エピタクシー法による高品質GaNの二段階成長

Author (4)： TAVERNIER P R (Univ. California, California) ,  ETZKORN E V (Univ. California, California) ,  WANG Y (Univ. California, California) ,  CLARKE D R (Univ. California, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 77  Issue： 12  Page： 1804-1806  Publication year： Sep. 18, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,...
Semi thesaurus term： VPE growth

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 水素化物気相エピタクシー ,  高品質 ,  GaN ,  段階 ,  成長