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J-GLOBAL ID：200902142524838401   Reference number：99A0333472

Experimental Evidence of Inelastic Tunneling in Stress-Induced Leakage Current.

応力誘起漏れ電流の非弾性トンネリングの実験的証拠

Author (3)： TAKAGI S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  YASUDA N (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 46  Issue： 2  Page： 335-341  Publication year： Feb. 1999 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 応力誘起漏れ電流 ,  非弾性 ,  トンネリング ,  実験 ,  証拠