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J-GLOBAL ID：200902142584973570   Reference number：94A0202852

Direct Growth of AlGaAs/GaAs single Quantum Wells on GaAs Substrates Cleaned by Electron Cyclotron Resonance (ECR) Hydrogen Plasma.

電子サイクロトロン共鳴(ECR)水素プラズマで清浄化したGaAs基板上におけるAlGaAs/GaAs単一量子井戸の直接成長

Author (3)： KONDO N (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa) ,  NANISHI Y (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa) ,  FUJIMOTO M (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 33  Issue： 1B  Page： L91-L93  Publication year： Jan. 15, 1994 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...
Semi thesaurus term： SQW【量子井戸】 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Applications of plasma  (BJ02110K)

Terms in the title (8)： 電子サイクロトロン共鳴 ,  水素プラズマ ,  清浄化 ,  GaAs基板 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  単一量子井戸 ,  成長