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J-GLOBAL ID：200902143583007854   Reference number：00A0903087

Control of Oxygen-Atom Transport in Silicon Melt during Crystal Growth by Electromagnetic Force.

電磁力による結晶成長過程でのけい素溶融体での酸素原子輸送の制御

Author (4)： WATANABE M (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  WANG W (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  EGUCHI M (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  HIBIYA T (NEC Corp., Tsukuba, JPN)
Material： Materials Transactions, JIM(Japan Institute of Metals)  (Mater Trans JIM(Jpn Inst Met))
Volume： 41  Issue： 8  Page： 1013-1018  Publication year： Aug. 20, 2000 
JST Material Number： G0668A  ISSN： 0916-1821  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *magnetic field effect ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (12)：

• TAKADA, K. Semiconductor Silicon 1998. 1998, 376-395
• HOSHI, K. J. Electrochem. Soc. 1985, 132, 693-700
• HOSHIKAWA, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1984, 23, L37-L39
• HIRATA, H. J. Cryst. Growth. 1989, 96, 747-755
• WATANABE, M. J. Cryst. Growth. 1998, 193, 402-412

Terms in the title (7)： 電磁力 ,  結晶 ,  成長過程 ,  けい素 ,  溶融体 ,  酸素原子 ,  輸送