Art

J-GLOBAL ID：200902144609999237   Reference number：97A0831421

Controlled Two-Step Solid-Phase Crystallization for High-Performance Polysilicon TFT’s.

高性能多結晶シリコンTFT’s実現のための制御した二段階固相結晶化

Author (5)： SUBRAMANIAN V (Stanford Univ., CA, USA) ,  DANKOSKI P (Stanford Univ., CA, USA) ,  DEGERTEKIN L (Stanford Univ., CA, USA) ,  KHURI-YAKUB B T (Stanford Univ., CA, USA) ,  SARASWAT K C (Stanford Univ., CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 18  Issue： 8  Page： 378-381  Publication year： Aug. 1997 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thin film transistor ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0831421&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 高性能 ,  多結晶シリコン ,  TFT ,  段階 ,  固相 ,  結晶化