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J-GLOBAL ID：200902144694034423   Reference number：03A0088357

Novell Colossal Magnetoresistive Thin Film Nonvolatile Resistance Random Access Memory (RRAM).

新しい巨大磁気抵抗薄膜不揮発性抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)

Author (9)： ZHUANG W W (Sharp Lab. America, WA, USA) ,  PAN W (Sharp Lab. America, WA, USA) ,  HSU S T (Sharp Lab. America, WA, USA) ,  TAJIRI M (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  SHIMAOKA A (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  SAKIYAMA K (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  WANG Y (Univ. Houston, Texas, USA) ,  LIU S Q (Univ. Houston, Texas, USA) ,  IGNATIEV A (Univ. Houston, Texas, USA)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2002  Page： 193-196  Publication year： 2002 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *giant magnetoresistance ,...
Semi thesaurus term： RRAM

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Magnetoelectric devices  (NC03100X)

Terms in the title (4)： 磁気抵抗薄膜 ,  不揮発性 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  RRAM