Art

J-GLOBAL ID：200902145162014668   Reference number：98A0950502

Preparation of Bi₄Ti₃O₁₂ Thin Film on Si(100) Substrate Using Bi₂SiO₅ Buffer Layer and Its Electric Characterization.

S位(100)基板上にBi₂SiO₅バッファ層を用いたBi₄Ti₃O₁₂薄膜の作製とその電気特性

Author (2)： KIJIMA T (SHARP Corp., Chiba, JPN) ,  MATSUNAGA H (SHARP Corp., Chiba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 37  Issue： 9B  Page： 5171-5173  Publication year： Sep. 1998 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： MFSFET ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0950502&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (3)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (6)：

• 1) J. L. Moll and Y. Tarui: IEEE Trans. Electon Device ED-10 (1963) 338.
• 2) S. Y. Wu: Ferroelectrics 11 (1976) 379.
• 3) Y. Matsui, M. Okuyama, M. Noda and Y. Hamakawa: Appl. Phys. A 28 (1982) 161.
• 4) D. R. Lampe, D. A. Adams, M. Austin, M. Polinsky, J. Dzimianski, S. Sinhaloy, H. Buhay, P. Brabant and Y. M. Liu: Ferroelectrics 133 (1992) 61.
• 5) T. Kijima, S. Satoh, H. Matsunaga and M. Koba: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1246

Terms in the title (4)： バッファ層 ,  薄膜 ,  作製 ,  電気特性