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J-GLOBAL ID：200902145640245590   Reference number：00A0651201

Low Threshold GaInAsP Lasers with Semiconductor/Air Distributed Bragg Reflector Fabricated by Inductively Coupled Plasma Etching.

誘導結合プラズマエッチングで作製した半導体/空気分布Bragg反射器を用いた低しきい値GaInAsPレーザ

Author (7)： ARIGA M (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SEKIDO Y (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SAKAI A (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  BABA T (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  MATSUTANI A (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 6A  Page： 3406-3409  Publication year： Jun. 15, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well laser ,...
Semi thesaurus term： void ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (9)：

• 1) T. Baba, M. Hamasaki, N. Watanabe, P. Kaeplung, A. Matsutani, T. Mukaihara, F. Koyama and K. Iga: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1390.
• 2) M. Hamasaki, P. Kaewplung, T. Baba, A. Matsutani, F. Koyama and K. Iga: Proc. Optelectronic and Communication Conf., Makuhari (1996) 18P-31.
• 3) Y. Yuan, T. Brock, P. Bhattacharya, C. Caneau and R. Bhat: IEEE Photon. Technol. Lett. 9 (1997) 881.
• 4) T. Mukaihara, N. Yamanaka, N. Iwai, T. Ishikawa and A. Kasukawa: Electron. Lett. 34 (1998) 882.
• 5) E. Höfling, R. Werner, F. Schäfer, J. P. Reithmaier and A. Forchel: Electron. Lett. 35 (1999) 154.

Terms in the title (7)： 誘導結合プラズマ ,  エッチング ,  作製 ,  分布Bragg反射器 ,  しきい値 ,  GaInAsP ,  レーザ