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J-GLOBAL ID：200902147065580449   Reference number：99A0747121

Single-crystal GaN pyramids grown on (111)Si substrates by selective lateral overgrowth.

選択横方向被覆成長により(111)Si基板上に成長させた単結晶GaN角錐

Author (5)： YANG W (Honeywell Technol. Center, MN, USA) ,  MCPHERSON S A (Honeywell Technol. Center, MN, USA) ,  MAO Z (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  MCKERNAN S (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  CARTER C B (Univ. Minnesota, MN, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 204  Issue： 3  Page： 270-274  Publication year： Jul. 1999 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Substance index (2)： Triethyl aluminum ,  Triethylgallium

Terms in the title (6)： 横方向被覆成長 ,  Si基板 ,  成長 ,  単結晶 ,  GaN ,  角錐