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J-GLOBAL ID：200902148111231019   Reference number：96A0807934

Epitaxial Growth of Diamond on Iridium.

イリジウム上のダイヤモンドのエピタキシャル成長

Author (4)： OHTSUKA K (Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI K (To-plas Corp., Saitama, JPN) ,  SAWABE A (Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  INUZUKA T (Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 35  Issue： 8B  Page： L1072-L1074  Publication year： Aug. 15, 1996 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： diamond ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (7)：

• KOIZUMI, S. Appl. Phys. Lett. 1990, 57, 563
• STONER, B. R. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 698
• WOLTER, S. D. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 1215
• SATO, Y. Proc. Second Int. Conf. on New Diamond Science & Technology, Washington, D. C., Sept. 23-27, 1990. 1991, 371
• SUZUKI, K. Appl. Phys. Lett. 1987, 50, 728

Terms in the title (3)： イリジウム ,  ダイヤモンド ,  エピタキシャル成長