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J-GLOBAL ID：200902148470350163   Reference number：00A0388981

Epitaxial growth of wurtzite GaN on Si(111) by a vacuum reactive evaporation.

真空反応性蒸着によるSi(111)上のウルツ鉱型GaNのエピタキシャル成長

Author (3)： ZHANG H (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  YE Z (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHAO B (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 87  Issue： 6  Page： 2830-2834  Publication year： Mar. 15, 2000 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor thin film ,...
Semi thesaurus term： 真空反応性蒸着

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 真空 ,  反応性蒸着 ,  Si ,  ウルツ鉱 ,  GaN ,  エピタキシャル成長