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J-GLOBAL ID：200902148504989649   Reference number：99A0143344

Sublattice Reversal in GaAs/Si/GaAs (100) Heterostructures by Molecular Beam Epitaxy.

分子ビームエピタクシーによって作製したGaAs/Si/GaAs(100)ヘテロ構造中の副格子反転

Author (9)： KOH S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KONDO T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ISHIWADA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IWAMOTO C (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ICHINOSE H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAGUCHI H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  USAMI T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIRAKI Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ITO R (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 37  Issue： 12B  Page： L1493-L1496  Publication year： Dec. 15, 1998 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Nonlinear optics  (BD05000T)

Reference (17)：

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• 5) H. Takahashi, M. Ohashi, T. Kondo, N. Ogasawara, Y. Shiraki and R. Ito: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L1456

Terms in the title (7)： 分子ビームエピタクシー ,  作製 ,  GaAs ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  副格子 ,  反転