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J-GLOBAL ID：200902150288580590   Reference number：00A0154861

Specular Surface Morphology of 4H-SiC Epilayers Grown on (11<span style=text-decoration:overline>2</span>0) Face.

(11<span style=text-decoration:overline>2</span>0)面上に成長させた4H-SiCエピ層の鏡面状の表面形態

Author (3)： CHEN Z Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 12A  Page： L1375-L1378  Publication year： Dec. 01, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (14)：

• 1) D. L. Barrett and R. B. Campbell: J. Appl. Phys. 38 (1967) 53.
• 2) W. J. Schaffer, G. H. Negley, K. G. Irvine and J. W. Palmour: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 339 (1994) 595.
• 3) A. Itoh, H. Akita, T. Kimoto and H. Matsunami: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 1400.
• 4) O. Kordina, A. Henry, J. P. Bergman, N. T. Son, W. M. Chen, C. Hallin and E. Janzen: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1373.
• 5) J. A. Powell, D. J. Larkin, P. G. Neudeck, J. W. Yang and P. Pirouz: Silicon Carbide & Related Materials (IOP, Bristol, Philadelphia, 1994) p. 161.

Terms in the title (5)： 成長 ,  4H-SiC ,  エピ層 ,  鏡面 ,  表面形態