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J-GLOBAL ID：200902150468206122   Reference number：95A0496771

Exciton states in two-dimensional systems of GaAs/AlAs multi-quantum-well structures under high magnetic fields.

高磁場下のGaAs/AlAs多重量子井戸の2次元系における励起子状態

Author (7)： YASUI T (Inst. Physical and Chemical Res. (RIKEN), Sendai, JPN) ,  SEGAWA Y (Inst. Physical and Chemical Res. (RIKEN), Sendai, JPN) ,  AOYAGI Y (Inst. Physical and Chemical Res. (RIKEN), Sendai, JPN) ,  IIMURA Y (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  BAUER G E W (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  MOGI I (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KIDO G (National Res. Inst. Metals, Tsukuba, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 51  Issue： 15  Page： 9813-9819  Publication year： Apr. 15, 1995 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Excitons  (BM02120E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： 高磁場 ,  GaAs ,  AlAs ,  多重量子井戸 ,  2次元系 ,  励起子