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J-GLOBAL ID：200902151537717645   Reference number：01A0523888

Gallium Nitride Based High Power Heterojunction Field Effect Transistors: Process Development and Present Status at UCSB.

GaN系の高出力ヘテロ接合電界効果トランジスタ UCSBにおけるプロセス開発と現状

Author (8)： KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  WU Y-F (Cree Lighting Co., CA, USA) ,  PARISH G (Univ. California, CA, USA) ,  ZIANG N (Univ. California, CA, USA) ,  XU J J (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER B P (Cree Lighting Co., CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 48  Issue： 3  Page： 552-559  Publication year： Mar. 2001 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (7)： GaN ,  高出力 ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  プロセス ,  開発 ,  現状